RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
62
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.8
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
18.5
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3341
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Team Group Inc. 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link