RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
49
Около -158% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
19
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
18.7
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3220
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link