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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
49
左右 -158% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
19
读取速度,GB/s
4,577.1
18.7
写入速度,GB/s
2,066.5
14.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3220
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
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Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
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