RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
62
Около -148% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
12.4
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
1511
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link