RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
62
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
12.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
1511
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link