Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

-->

Средняя оценка

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 13.8

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

40 62

Около -55% меньшая задержка
Выше скорость записи

10.3 1,843.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

62 40
Скорость чтения, Гб/сек

3,556.6 13.8
Скорость записи, Гб/сек

1,843.6 10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

542 2340

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Micron Technology 16G3200CL22 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB

модули RAM

Kingston HX316C10F/8 8GB

Kingston HX316C10F/8 8GB

Team Group Inc. DDR4 3600 8GB

Team Group Inc. DDR4 3600 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB

Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB

Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB

модули RAM

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB

модули RAM

Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB

Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB

Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB

Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

модули RAM