RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
16.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2925
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link