RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
15.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2926
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link