RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около 10% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
11.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16.7
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
16.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3119
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link