Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

-->

Средняя оценка

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 35

Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.7 15.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.8 11.3

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 35
Скорость чтения, Гб/сек

16.7 15.1
Скорость записи, Гб/сек

11.8 11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

21300 21300

Other

Описание

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2756 2631

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Kingston 9905744-024.A00G 16GB

Kingston 9905744-024.A00G 16GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

модули RAM

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N

модули RAM

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB

модули RAM