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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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规格
完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
35
读取速度,GB/s
16.7
15.1
写入速度,GB/s
11.8
11.3
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2756
2631
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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