RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
39
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
13.7
Скорость записи, Гб/сек
12.6
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2955
2397
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link