RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 34
    Около -10% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17.7 left arrow 8.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    15.3 left arrow 5.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 10600
    Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    34 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    8.6 left arrow 17.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.8 left arrow 15.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1682 left arrow 3713

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
модули RAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
модули RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
модули RAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
модули RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
модули RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
модули RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
модули RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
модули RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
модули RAM