RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
104
Около -160% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
40
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
13.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2362
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link