RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
34
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.2
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.8
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
32
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
9.2
Скорость записи, Гб/сек
5.8
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
2017
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link