RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2797
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link