RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.4
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
10.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
1998
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1866C10 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link