RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около 28% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
39
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2958
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link