RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
28
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
19
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
19.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2994
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link