RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
69
Около 59% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
6.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
69
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
14.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
1542
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link