RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2511
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link