RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
33
Intorno 27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
10.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
33
Velocità di lettura, GB/s
16.0
13.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2511
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link