RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2511
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link