RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Kingston 9965589-031.D01G 2GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
47
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.4
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
7.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
47
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
10.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2211
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link