Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston 9965589-031.D01G 2GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

総合得点

Kingston 9965589-031.D01G 2GB

Kingston 9965589-031.D01G 2GB

相違点仕様コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

28 47

周辺 40% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

12.4 10.9

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

9.6 7.5

テスト平均値

Kingston 9965589-031.D01G 2GB

考慮すべき理由
Kingston 9965589-031.D01G 2GB

バグを報告する

より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 12800

周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Kingston 9965589-031.D01G 2GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

28 47
読み出し速度、GB/s

12.4 10.9
書き込み速度、GB/秒

9.6 7.5
メモリ帯域幅、mbps

12800 19200

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2329 2211

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB

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Kingston 9905702-204.A00G 8GB

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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB

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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

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Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB

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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

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V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB

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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

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G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB

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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

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Kingston 9965643-002.A01G 4GB

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