RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2767
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link