RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
18.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3141
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link