RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
35
En 20% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
3141
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link