RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3141
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link