RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3198
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link