RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость записи
    7.8 left arrow 7.3
    Среднее значение в тестах
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Причины выбрать
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    23 left arrow 29
    Около -26% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14.4 left arrow 12.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    29 left arrow 23
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.1 left arrow 14.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.8 left arrow 7.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2177 left arrow 2236

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM

G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB

Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
модули RAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
модули RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
модули RAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
модули RAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
модули RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
модули RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
модули RAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
модули RAM