RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.8
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
29
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.4
12.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
14.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2236
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Jinyu 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link