RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
29
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.6
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.6
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
19.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
17.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
4000
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link