RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
40
Около -111% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
19
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
18.7
Скорость записи, Гб/сек
8.9
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
3220
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX16 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link