RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

总分
star star star star star
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

总分
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB 需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    19 left arrow 40
    左右 -111% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.7 left arrow 12.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.2 left arrow 8.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    40 left arrow 19
  • 读取速度，GB/s
    12.3 left arrow 18.7
  • 写入速度，GB/s
    8.9 left arrow 14.2
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1789 left arrow 3220

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
内存RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
内存RAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
内存RAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
内存RAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
内存RAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
内存RAM
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
内存RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
内存RAM