RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
22.2
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
22.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
3871
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link