RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
41
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.7
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
41
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
12.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2501
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link