RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
16.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
3413
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link