RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
22.3
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
22.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
20.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
4051
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link