RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.2
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
12.2
Скорость записи, Гб/сек
8.5
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
2443
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link