RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 38
    Около 24% меньшая задержка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    19.3 left arrow 12.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.1 left arrow 7.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 12800
    Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    29 left arrow 38
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.1 left arrow 19.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.8 left arrow 13.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2177 left arrow 3246

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM

G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Сравнения RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
модули RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
модули RAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
модули RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
модули RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
модули RAM
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
модули RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
модули RAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
модули RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
модули RAM
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
модули RAM