RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
17.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
3123
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link