RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
33
Около -10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
30
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
7.3
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
3106
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link