RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
33
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
30
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3106
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston KP223C-ELD 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link