RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
33
Por volta de -10% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
30
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
12.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
3106
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMP351S6AFR8C-S6 4GB
SK Hynix HMP351S6AFR8C-S6 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link