RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3106
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-1600 CL10 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link