RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
29
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
17.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2989
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link