RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.1
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
10.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2386
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link