RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
14.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2942
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link