RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
17.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2910
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link