RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
29
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
17.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2989
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link